Китай продолжает работать над замещением импортных технологий, в том числе полупроводниковых компонентов. На этот раз китайская компания Yangtze Memory Technologies сообщает, что начала создание 128-слойных микросхем памяти 3D NAND QLC. Это весьма большой шаг для страны в сторону импортозамещения и независимости.
Использование 128-слойной 3D NAND началось около двух лет назад и применялось крупнейшими мировыми производителями. Китайской YMTC потребовалось два года, чтобы разработать собственные микросхемы с технологией 3D Xtacking второго поколения, которая и позволила создавать 128-слойную память.
Технология 3D Xtacking хорошо показала себя на фоне конкурентов. С её помощью компании удалось добиться плотности 8.48 ГБ/мм², первое поколение технологии демонстрировало плотность 4.42 ГБ/мм². У Samsung этот показатель достигает 6.91 ГБ/мм², у Micron – 7.76 ГБ/мм², у SK hynix – 8.13 ГБ/мм². Третье поколение технологии обещает увидеть свет во второй половине следующего года.