Полупроводниковый гигант TSMC, как сообщают сразу два тайваньских ресурса, начал производство с повышенным риском по 3-нм технологическому процессу. Компания ранее сообщала о начале производства во второй половине этого года и, по всей видимости, идет в ногу со своей дорожной картой.
Пробное производство по 3-нм технологическому процессу началось на Fab 18, расположенной в Южном Тайваньском научном парке. Учитывая, что от начала производства до получения готовой продукции необходимо более 100 дней, первая партия будет выпущена только весной, однако массовое производство ожидается во второй половине следующего года, когда техпроцесс будет более-менее отточен. В таком случае первая продукция ожидается только в начале 2023 года.
Технологический процесс TSMC N3 подразумевает использование более 20 слоёв EUV-литографии, обещает 10-15% прирост производительности при том же количестве транзисторов, снижение энергопотребления на 30%, а также повышение плотности размещения транзисторов на 70% по сравнению с N5.